日前 Samsung 就拿出了 40 奈米制程的 NAND 闪存芯片来吓大家，为未来 32GB 甚至是 64GB CF（compact flash）存储卡铺路。

根据 Samsung 的新闻稿中，新的芯片利用了 Charge Trap Flash 结构技术，大大减低了数据单元间的干扰。而这下也就又让大家想到了闪存的摩尔定律该怎样去定义的问题，Samsung 倒是这样告诉大家：｢ 40 奈米制程的技术、32Gb 的 NAND 快闪芯片的出现，代表着一个新的诠释，也就是每十二个月，第七代的 NAND 芯片的单位容量（密度） 就可以有两倍的提升，这也是三星半体事业总裁黄昌圭博士（ Dr. Chang Gyu Hwang）在 2002 年的尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC 2002）演说所提及的。｣

照这样算下去的话，大概一年内笔记本电脑就可以采用闪存来取代硬盘了吧！

这是一件值得世人兴奋的事，人类在半导体行业里又迈进了一步！

人类在8段的进步
科技在8段的进步
只有薪水缓慢进步

3楼说得好。

三星技术牛啊~~~~~~~~~~~~~